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破局IGBT封装:华芯设备将空洞率降至2%以下

发布日期:2026-08-08 点击次数:0
一、 客户背景与挑战
随着新能源汽车市场的爆发式增长,国内某头部新能源车企(IGBT模块核心供应商)在推进第三代半导体(SiC)封装项目时,遭遇了严重的工艺瓶颈。在传统的功率模块焊接过程中,由于工艺限制,焊点内部空洞率居高不下(原空洞率约5%)。这不仅严重影响了IGBT模块的散热性能与长期运行可靠性,还导致传统助焊剂残留难以清洗,使得整体焊接良率难以突破,返修成本居高不下,严重制约了产能的进一步释放。
二、 华芯半导体解决方案
针对客户面临的“高空洞率”与“清洗难”双重痛点,广东华芯半导体为其量身定制了引入 HSM系列半导体真空回流焊设备 的升级方案。
  1. 核心工艺革新: 采用华芯独创的“高真空环境 + 甲酸还原”双重防氧化机制。在极致的真空腔体内,利用甲酸气体在加热过程中原位还原金属表面的氧化物,彻底摒弃了传统助焊剂的使用,从根源上实现了免清洗工艺。
  2. 精准温控与气流设计: HSM设备针对IGBT模块大面积焊接的特性,优化了炉内温度场分布与气体反应路径,确保晶圆与基板在焊接过程中的受热均匀性,有效避免了焊接应力导致的变形与气泡残留。
三、 核心成效与数据验证
HSM系列设备导入量产线并经过数月的磨合验证后,各项核心指标均达到或超越了客户的严苛标准:
  • 空洞率断崖式下降: 焊点内部空洞率由原先的5%稳定控制在 2%以下,部分核心批次甚至达到了 1%以下 的行业顶尖水平。
  • 焊接良率显著攀升: 整体焊接良率稳定在 99.8%以上,彻底解决了返修难题,单条产线每月直接节约返修与清洗成本数十万元。
  • 器件性能大幅提升: 得益于极低的空洞率,IGBT模块的导通电阻降低了约20%,热阻显著下降,完美满足了新能源汽车电机驱动系统对高压、高可靠性的极端要求。
四、 客户评价
“在面临产能爬坡的关键期,华芯HSM系列真空回流焊设备的引入堪称‘及时雨’。它不仅精准解决了困扰我们已久的空洞率痛点,其极高的设备稳定性和出色的售后响应速度,更让我们对未来的产能扩充充满信心。事实证明,国产半导体核心设备的实力完全能够胜任最严苛的量产需求。”
五、 案例总结与展望
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